クリップ アタッチ技術は、複雑なワイヤボンディングを強固な銅クリップ接続に置き換えることで、大電流パワーデバイスに優れた熱特性、電気特性、および信頼性をもたらします。K&Sは、精密に設計されたクリップ アタッチ ソリューションによってこのプロセスをさらに進化させ、厳しい環境下でも安定した品質、最適化された効率、そして長期的な耐久性を保証します。



概要

クリップアタッチ技術について


クリップ アタッチとは、従来のワイヤボンディングの代わりに、成形済みの銅製クリップをリードフレーム上のチップに直接はんだ付けするパワー半導体向けのパッケージング技術です。この工程はまず、チップをはんだやエポキシでリードフレームに固定することから始まります。次に、ソース ドレイン端子とリードフレームを接続するように銅クリップを配置。その後、真空リフローなどで加熱し、ボイド(気泡)を抑えながら強固に接合することで、機械的・電気的な安定性を確保します。最後に、外観検査やテストでボイドやズレ、接合強度を確認し、信頼性を担保します。複数のワイヤボンド工程が省けるため工程がシンプルになり、大電流・高周波デバイスにおいて劇的な性能向上をもたらします。

Expanded Bond Area
K&Sの専門技術

高性能クリップアタッチ


当社のAVALINE™プラットフォームは、ディスクリートパワー半導体向けのクリップアタッチ量産向けに設計された統合クリップアタッチラインです。Avalineは、高いスループット、高精度、高歩留まりを実現する実績あるクリップアタッチソリューションを提供します。主なシステムは以下の通りです:



  • AVALINE™-D:はんだペーストを用いたダイアタッチ向け高速デュアルディスペンシング。薄型ダイの取り扱いに最適化されています。
  • AVALINE™-C:高精度なクリップボンドシステム。θ軸制御と荷重モニタリング機能を備え、大型クリップボンドにも対応します。
  • AVALINE™-V:真空リフロー装置。ボイド率5%未満、低酸素環境、およびアクティブ排気により、極めて信頼性の高いはんだ接合を実現します。
Expanded Bond Area
Expanded Bond Area
ソリューションエリア

主なアプリケーション

クリップアタッチ技術は、パワー半導体パッケージングにおいて幅広く採用されており、具体的には以下が含まれます:


  • 民生用電子機器およびコンピューティング向け電力制御用コンパクトディスクリートパッケージ

  • サーバーおよびテレコムパワーステージ(DrMOSなど)

  • 産業用モータードライブおよび高周波DC-DCコンバーター

  • EVインバーターおよびバッテリーシステム向け自動車用MOSFET

確かな成果を支える技術

主な特長

  • 高電流デバイス向けの優れた熱管理性能

  • 電気抵抗および寄生要素の低減による効率向上とスイッチング速度の改善

  • 過酷な熱・機械ストレス条件下でも発揮される長期信頼性

  • 大量生産向けのスケーラブルな製造プロセスに対応

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