植球技术是一种晶圆级互连工艺。它通过为先进半导体封装制造高密度的金焊球，为次下一代元件实现可靠的微间距连接。该工艺结合传统的线焊技术，适用于对高性能和紧凑设计有极高 要求的应用场景。
利用EFO火花，在焊线末端形成金球，并通过热、压力和超声波能量的“热压超声”作用将其键合在焊垫上，从而建立稳固的金属互连。随后，焊线被整齐切断，在焊垫表面留下一个坚固的金质焊球，即“Stud”或“Bump”。
这些精密的植球为倒装芯片（Flip-chip）和晶圆级封装提供了可靠的附着点，助力 CMOS 图像传感器、RF模块及其他高性能半导体设备实现微间距互连。
凭借几十年的线焊专业积淀，K&S 提供行业领先的晶圆级植球解决方案。我们的 ATP Lite™、ATPremier™ PLUS 和 ATPremier™ MEM PLUS 平台集成了先进的热压超声控制、精密机械和智能自动化技术，能够在 200 mm 和 300 mm 晶圆上实现一致的微间距植球焊接。在声表滤波器市场，结合自动晶圆搬运系统（Auto Wafer Handler System）等自动化选件，这些方案被广泛采用。K&S 晶圆级平台凭借卓越的生产力、极低的使用成本以及业内领先的性能，树立了效率与可靠性的标杆。
我们同时支持标准植球 (Standard Stud Bump) 和球型凸台（AccuBump™） 专利工艺。 在每种方法中，通过 放电烧结的焊球在热量、压力和超声波能量的作用下键合至焊垫，随后焊线被整齐切断，在焊垫表面留下坚固的焊球。对于标准植球工艺，通过编程控制劈刀动作，在焊点上方受热影响区处切断焊线，确保末端一致。对于球型凸台工艺（AccuBump™），在焊球上方通过先进的 Z 轴运动切割出一个平整的顶面并削弱尾线强度，从而实现更精准的切割断线。这种平整的接触区域对于后续着陆的线尾键合 (SSB) 或叠层植球键合至关重要。通过Z 轴运动轨迹、线夹开启时机和超声能量的增强控制，AccuBump™ 进一步优化了复杂焊垫布局下的焊球凸台形状，确保了焊接的完整性与重复性。
内部标杆测试与客户部署数据显示，我们的平台拥有极高的 UPH、紧凑的占地面积以及严苛的凸点高度控制（约 ±3 µm）——这些都是晶圆级生产经济效益的关键。此外，该平台支持在植球与线焊工艺制程之间快速切换，灵活应对生产需求。
